特許

J-GLOBAL ID：200903044621671220

半導体レーザ素子

発明者： ▲広▼山 良治 ,  西田 豊三 ,  賀勢 裕之 ,  伊藤 順子
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216361
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064472
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 良好な温度特性を有する製造の容易な半導体レーザ素子を提供することが目的である。【解決手段】 n型の半導体基板1と、基板1上に形成され基板1と略格子整合するn型のAlGaInP系結晶からなるクラッド層3と、n型のクラッド層3上に形成された活性層6と、活性層3上に形成され基板1と略格子整合するp型のAlGaInP系結晶からなるクラッド層9と、を備え、少なくともp型クラッド層9中又はp型クラッド層9と活性層6の間に、p型クラッド層9よりエネルギーギャップが大きく且つp型クラッド層9よりホール濃度が小さいAlGaInP系結晶又はAlInP系結晶からなる障壁層をなす他のp型クラッド層8を設けた。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該基板上に形成され該基板と略格子整合する第1導電型のAlGaInP系結晶からなるクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成され前記基板と略格子整合する前記第1導電型とは逆導電型となる第2導電型のAlGaInP系結晶からなるクラッド層と、を備え、前記両クラッド層のうちの少なくともp型クラッド層中又は該p型クラッド層と前記活性層の間に、前記p型クラッド層よりエネルギーギャップが大きく且つ該p型クラッド層よりホール濃度が小さいAlGaInP系結晶又はAlInP系結晶からなる障壁層をなす他のp型クラッド層を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-170016   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-359486
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330274   出願人：日本電気株式会社