特許
J-GLOBAL ID：200903044628664946
温度センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山本 尚
, 中山 千里
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-095245
公開番号（公開出願番号）：特開2004-301679
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】サーミスタ素子周辺に位置する金属部材の表面に十分な膜厚の酸化被膜を形成し、サーミスタ素子の雰囲気中の酸素濃度を安定に保つことを可能にした温度センサの製造方法を提供すること。【解決手段】第1熱処理工程で、温度センサ1に用いられる金属チューブ3等の表面を大気雰囲気中で酸化させることにより十分な膜厚の酸化被膜を生成し、その上に、第2熱処理工程で、酸化被膜が実質的に酸化クロムより形成され、酸化被膜が十分に厚く連続的になる。従って、この温度センサ1によれば、各金属包囲部材3,4,8の表面に形成された酸化被膜を剥離させながら新たな酸化が進行することがなく、高温時に生じる各金属包囲部材3,4,8の酸化の進行を抑えることができ、金属チューブ3等より形成される密閉空間内に露出したサーミスタ素子2の周囲の雰囲気中の酸素濃度を安定的に保つことができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
サーミスタ素子を一又は複数の包囲部材で形成される密閉空間内に収容した温度センサの製造方法において、
前記一又は複数の包囲部材のうち、少なくとも前記密閉空間内に露出し前記サーミスタ素子に近接して配置され、少なくともクロム元素を18重量%以上含有する耐熱合金により形成された金属部分の表面を大気雰囲気中で加熱処理して酸化被膜を形成する第1熱処理工程と、
少なくとも前記第1熱処理工程にて加熱処理された前記金属部分の表面を、酸素分圧が1×10-22〜1×10-12atmの低酸素雰囲気中で1000°C〜1200°Cの処理温度にて加熱処理して、前記金属部分の表面のうちで少なくとも当該酸化被膜が形成されなかった表面に酸化クロムを選択的に生成させて酸化被膜を形成する第2熱処理工程とから成ることを特徴とする温度センサの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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