特許

J-GLOBAL ID：200903044658517468

太陽電池素子

発明者： 村田 靖
出願人/特許権者： シチズンホールディングス株式会社
代理人 (2件)： 宮島 明 ,  土屋 繁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-055847
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212414
出願日： 2008年03月06日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】可撓性の光透過基板を用いた太陽電池素子としても、入射光利用効率を高めることができる素子構造を提供する。【解決手段】可撓性の光透過基板上に、透明正面電極と光電変換層と裏面電極とを順次積層してなる太陽電池素子において、裏面電極を透明性導電膜で構成し、この裏面電極の表面に、波長変換層と光反射層とを更に備える構成とした。これにより、光電変換層を透過した光が波長変換層によって光電変換層の吸光感度の高い光となって再放出され、再放出光のほとんどは光電変換層で吸収されるので、光電変換層の高いエネルギー取得効率を実現する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

可撓性の光透過基板上に、透明正面電極と、光電変換層と、裏面電極とを順次積層してなる太陽電池素子において、 前記裏面電極を、透明性導電膜で構成し、 前記裏面電極の上層に、波長変換層と光反射層とを更に備える ことを特徴とする太陽電池素子。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 F ,  H01L31/04 B

Fターム (17件)：

5F051AA05 ,  5F051BA15 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB13 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA18 ,  5F051FA30 ,  5F051GA05 ,  5F051HA13 ,  5F051HA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• アモルファスシリコン太陽電池とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-021535   出願人：シチズン時計株式会社
• 薄膜太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-175782   出願人：シャープ株式会社