特許

J-GLOBAL ID：200903044689361377

立方晶炭化珪素単結晶薄膜におけるスリップの低減方法

発明者： 児島 一聡 ,  吉川 正人
出願人/特許権者： 日本原子力研究所
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-154317
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335934
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 炭化珪素(SiC)の結晶成長に関し、化学気相成長法(CVD法)を用いてSi基板上に3C-SiC単結晶薄膜を作製する方法である。【解決手段】 化学気相成長法(CVD法)を用いた立方晶炭化珪素(3C-SiC)単結晶薄膜のSi基板上への作成方法であって、溝を切ったSi基板を用いることにより基板上に成長させた3C-SiCに導入されるスリップを低減させる方法。

請求項（抜粋）：

化学気相成長法(CVD法)を用いた立方晶炭化珪素(3C-SiC)単結晶薄膜のSi基板上への作成方法であって、Si基板の表面又は裏面に溝を切ったものを用いることにより基板上に成長させた3C-SiCに導入されるスリップを低減させる方法。

IPC (3件)：

C23C 16/42 ,  C23C 16/02 ,  C30B 29/36

FI (3件)：

C23C 16/42 ,  C23C 16/02 ,  C30B 29/36 A

Fターム (17件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077DB15 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030CA04 ,  4K030CA11 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素の成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-234500   出願人：松下電器産業株式会社
• 炭化珪素膜及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069610   出願人：ホーヤ株式会社