特許
J-GLOBAL ID:200903044748459980

光起電力素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 哲也 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-157040
公開番号(公開出願番号):特開2000-068548
出願日: 1999年06月03日
公開日(公表日): 2000年03月03日
要約:
【要約】【課題】 シャドーロスが少なくて変換効率が高く、寸法の自由度が大きく、かつ長期使用時における信頼性の高い光起電力素子を提供する。【解決手段】 光起電力を発生する半導体接合層を有する光起電力層32と、この光起電力層の光入射側に設けられた集電電極34とを備え、バイパスダイオードが並列に接続される光起電力素子において、前記バイパスダイオードを、光起電力層の半導体接合層である第1の半導体接合層とは別の第2の半導体接合層を有するバイパスダイオード層38として集電電極の下部に設ける。
請求項(抜粋):
光起電力を発生する半導体接合層を有する光起電力層と、前記光起電力層の光入射側に設けられた集電電極とを備えた光起電力素子において、並列に接続されるように設けられたバイパスダイオードを有し、前記バイパスダイオードは、前記光起電力層の半導体接合層である第1の半導体接合層とは別の第2の半導体接合層であり前記集電電極の下部に具備することを特徴とする光起電力素子。
IPC (2件):
H01L 31/042 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01L 31/04 R ,  H01L 31/04 M
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)
  • 特開平4-179169

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