特許
J-GLOBAL ID：200903044759301741
結晶膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165283
公開番号（公開出願番号）：特開2002-363749
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：
【要約】【課題】 KTa<SB>1-x</SB>Nb<SB>x</SB>O<SB>3</SB>およびK<SB>1-y</SB>Li<SB>y</SB>Ta<SB>1-x</SB>Nb<SB>x</SB>O<SB>3</SB>のCVD法による結晶膜の製造方法の提供。【解決手段】 KTa<SB>1-x</SB>Nb<SB>x</SB>O<SB>3</SB>(0<x<1)の組成を有する結晶膜の製造方法は、第1の出発材料成分として一般式(1)で表されるKのβ-ジケトン錯体(ここでRは1から7の炭素数を有するアルキル基であり、R′はアルキル基またはC<SB>n</SB>F<SB>2n+1</SB>であり、nは1から3である)と、第2の出発材料成分としてTaのガス状化合物およびTaの蒸発可能な化合物の少なくとも1つと、第3の出発材料成分としてNbのガス状化合物およびNbの蒸発可能な化合物の少なくとも1つと、酸化剤として使用される酸素含有ガスとを、それぞれガス流として基板を設けた反応系に導入し、これらの成分を気相または前記基板上で反応させ、基板上にKTa<SB>1-x</SB>Nb<SB>x</SB>O<SB>3</SB>の結晶を生成する。【化1】
請求項（抜粋）：
KTa<SB>1-x</SB>Nb<SB>x</SB>O<SB>3</SB>(0<x<1)の組成を有する結晶膜の製造方法であって、第1の出発材料成分として一般式(1)【化1】で表されるKのβ-ジケトン錯体(ここでRは1から7の炭素数を有するアルキル基であり、R′はアルキル基またはC<SB>n</SB>F<SB>2n+1</SB>であり、nは1から3である)と、第2の出発材料成分としてTaのガス状化合物およびTaの蒸発可能な化合物の少なくとも1つと、第3の出発材料成分としてNbのガス状化合物およびNbの蒸発可能な化合物の少なくとも1つと、酸化剤として使用される酸素含有ガスとを、それぞれガス流として基板を設けた反応系に導入し、これらの成分を気相または前記基板上で反応させ、基板上にKTa<SB>1-x</SB>Nb<SB>x</SB>O<SB>3</SB>の結晶を生成することを特徴とする結晶膜の製造方法。
IPC (4件)：
C23C 16/40
, C01G 35/00
, G02F 1/355 501
, G02F 1/377
C23C 16/40
, C01G 35/00 C
, G02F 1/355 501
, G02F 1/377
2K002AB12
, 2K002BA03
, 2K002BA04
, 2K002CA02
, 2K002DA06
, 2K002EA04
, 2K002EA07
, 2K002FA05
, 2K002FA17
, 2K002HA21
, 4G048AA03
, 4G048AA04
, 4G048AB01
, 4G048AC08
, 4G048AD02
, 4G048AE05
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA01
, 4K030BA13
, 4K030BA17
, 4K030BA42
, 4K030BB05
, 4K030DA08
