半導体処理システムにおける漏電遮断の防止

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-535036
公開番号（公開出願番号）：特表2002-506286
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2002年02月26日
要約：

【要約】基板処理システムの処理チャンバー内に配置されたペデスタルを加熱するために設けられたペデスタル加熱システム。本発明のペデスタル加熱システムは、ヒータ電源、ヒータ電源に接続されたトランス、トランスに接続されたヒータエレメント、及びRFグランド電極を含んでいる。トランスは、電流漏れループを局所的に限定することによって、ヒータエレメントから基板処理システムの種々のエレメントへの漏れ電流を低減するよう構成されている。ヒータエレメント及びRFグランド電極は、ペデスタル内に配置されている。トランスとしては単純な分離トランスが望ましい。プラズマCVD処理システムのようなRFエネルギー源を用いる場合には、トランスとヒータエレメントとの間、あるいは一連の電源の他の点との間にEMIフィルタを接続して、RFエネルギーが基板処理システムの下位システムの別の場所、あるいは設備電源に接続されている他の敏感な電子回路へフィードすることを防ぐようにすることができる。

請求項（抜粋）：

基板処理システムの処理チャンバー内に配置されたペデスタルを加熱するよう構成されたペデスタル加熱システムであって、ヒータ電源と、前記ヒータ電源に接続されたトランスと、ペデスタル内に配置され、前記トランスに接続されたヒータエレメントとを有し、前記トランスは、前記ヒータエレメントから前記処理チャンバーのチャンバー壁への漏れ電流を低減するよう構成されているペデスタル加熱システム。

IPC (4件)：

H01L 21/68 , C23C 16/46 , H01L 21/205 , H05B 3/00 320

FI (4件)：

H01L 21/68 N , C23C 16/46 , H01L 21/205 , H05B 3/00 320 C

Fターム (35件)：

3K058AA16 , 3K058BA14 , 3K058CA04 , 3K058CA41 , 4K030FA02 , 4K030FA03 , 4K030FA04 , 4K030KA23 , 4K030KA41 , 4K030KA43 , 4K030KA45 , 4K030KA46 , 4K030LA15 , 5F031CA02 , 5F031CA04 , 5F031HA02 , 5F031HA37 , 5F031JA01 , 5F031JA21 , 5F031JA45 , 5F031MA28 , 5F031PA08 , 5F031PA11 , 5F045AA03 , 5F045AA08 , 5F045AA10 , 5F045EF05 , 5F045EH05 , 5F045EH11 , 5F045EH17 , 5F045EK09 , 5F045EM02 , 5F045EM09 , 5F045EM10 , 5F045EN04

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-002549 出願人：株式会社日立製作所
ウェハ保持部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-077908 出願人：京セラ株式会社
特開2048-116123

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