薄膜デバイスの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213428
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054465
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】本発明は薄膜トランジスタ製造工程に関し、ガラス等の絶縁基板上に形成されたCr薄膜パターン上に少なくとも絶縁膜を1層含む多層膜を形成した後の水を用いた洗浄工程での、基板表面が絶縁膜のために基板自身が静電気で帯電するのを除去する。【解決手段】絶縁基板上にCr薄膜パターンを形成後、少なくとも絶縁膜の一層を含む膜を形成した後の工程で、水を用いた洗浄工程を有する薄膜デバイスの製造方法において、洗浄工程で最初に絶縁基板に接触する溶液が導電性を有するようにする。

請求項（抜粋）：

クロム(Cr)薄膜パターンが表面に形成された絶縁基板上に少なくとも絶縁膜一層を含む膜を被覆した後の該絶縁基板の水洗工程において、最初に該絶縁基板に接触する溶液が導電性を有することを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , H01L 21/306 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/304 341 L , H01L 21/304 341 M , H01L 21/306 D , H01L 29/78 627 Z

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平2-297971
特開昭64-008630
洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-003337 出願人：鹿児島日本電気株式会社

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審査官引用 (8件)

特開平2-297971
特開平2-297971
ウエット処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312366 出願人：株式会社フロンテック, オルガノ株式会社, 大見忠弘

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