特許
J-GLOBAL ID：200903044815475359
プロセスチャンバー内のクリーニング方法及び基板処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-308530
公開番号（公開出願番号）：特開2001-131750
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：
【要約】【課題】 高価なガスや地球温暖化に影響を与えるガスを使用することなしに、プロセスチャンバー内に付着したSi系付着物を除去することができるプロセスチャンバー内のクリーニング方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】 成膜プロセスの終了後、プロセスチャンバー2内のクリーニングプロセスを実行する場合、ポンプ9によるプロセスチャンバー2内の減圧排気を継続した状態で、C4F6ガスをフッ素生成部19に供給すると共に、マイクロ波照射装置18によりマイクロ波をC4F6ガスに照射する。このとき、マイクロ波の照射により生成される電子eがC4F6に対して化学反応し、C4F6のC-F結合が解離してフッ素Fが生成される。このフッ素Fがプロセスチャンバー2内に導入されると、プロセスチャンバー2の内壁等に付着したSi膜やSiO2膜に対してフッ素Fが化学反応し、Si膜及びSiO2膜が分解除去される。
請求項（抜粋）：
C4F6ガスよりフッ素を解離、生成して、このフッ素をプロセスチャンバー内に導入し、前記プロセスチャンバー内に付着したSi系付着物を除去するプロセスチャンバー内のクリーニング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/44 J
, H01L 21/205
4K030DA06
, 5F045AA06
, 5F045AC02
, 5F045EB06
, 5F045EE06
