特許

J-GLOBAL ID：200903044845247962

多層基板

発明者： 栗田 英之 ,  中村 雅之
出願人/特許権者： ソニーケミカル株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183375
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015929
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】熱疲労による接続部分の破壊のない多層基板を提供する。【解決手段】本発明の多層基板1は、ポリイミド膜11〜16と、銅膜21〜26が交互に積層されている。ポリイミド膜11〜16の熱膨張係数を2〜5ppm/°Cにすることで、多層基板1全体の熱膨張係数を10ppm/°C未満にしている。搭載する半導体素子の熱膨張係数に近いので、半導体素子との接続部分が破壊しないようになる。本発明の多層基板1は、インターポーザーにもマザーボードにも用いることができる。

請求項（抜粋）：

樹脂層と導電層とが交互に複数層積層されて構成された多層基板であって、積層された状態での基板拡がり方向の熱膨張係数が10ppm/°C未満にされたことを特徴とする多層基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H05K 3/46 S ,  H01L 23/12 N

Fターム (7件)：

5E346AA32 ,  5E346CC08 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346DD22 ,  5E346FF24 ,  5E346HH18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 回路基板形成用多層フィルム並びにこれを用いた多層回路基板および半導体装置用パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007594   出願人：新光電気工業株式会社
• 低熱膨張性接着フィルムおよびそれを用いた配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-020964   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭63-307797