特許
J-GLOBAL ID：200903044847413150
炭化珪素半導体装置とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-023306
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224277
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】電界を緩和して耐圧を向上させることができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】N+型ドレイン用SiC基板1の上に、N-型SiCドリフト層2と、N+型SiCソース層3とが順に形成され、ソース層3を貫通してドリフト層2に達するトレンチ4が形成されている。トレンチ4の内部にポリシリコンゲート電極5が配置されている。トレンチ4の内壁面には酸化膜6が形成されるとともに、酸化膜6の外周側にバナジウムイオン拡散領域7が形成されている。トレンチ底面におけるバナジウムイオン拡散領域7bは、トレンチ側面でのバナジウムイオン拡散領域7aよりも厚くなっている。
請求項（抜粋）：
SiCよりなる第1導電型のドレイン用基板(1)の上に、SiCよりなる低濃度な第1導電型のドリフト層(2)と、SiCよりなる高濃度な第1導電型のソース層(3)とが順に形成されるとともに、前記ソース層(3)を貫通してドリフト層(2)に達するトレンチ(4)が形成され、さらに、このトレンチ(4)の内部にゲート電極(5)を配した炭化珪素半導体装置であって、前記トレンチ(4)の内壁面に酸化膜(6)を形成するとともに、当該酸化膜(6)の外周側に半絶縁領域(7)を形成したことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 653
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 C
