特許

J-GLOBAL ID：200903044849486465

半導体記憶装置

発明者： 三木 浩史 ,  中井 浩巳 ,  櫛田 惠子 ,  嶋本 泰洋 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  藤崎 芳久
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 特許業務法人 日東国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-322352
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066934
出願日： 2005年11月07日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】高強誘電体劣化を防止した信頼性の高い半導体記憶装置を得ること。【解決手段】能動素子2と、能動素子2に接続される高強誘電体膜9を有する蓄積容量部と、前記蓄積容量部への水素の拡散を抑制するための拡散バリア層として設けられた絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

能動素子と、 第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた高強誘電体膜とからなるコンデンサと、 前記能動素子と前記コンデンサとの間に形成された、水素拡散バリア層とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (2件)：

H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C

Fターム (20件)：

5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR41

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5005102号明細書
  

審査官引用 (4件)

• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-254378   出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-116221   出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
• 特開平4-102367
  
• 特開平2-128424