特許
J-GLOBAL ID：200903044852160384
半導体IC内蔵モジュール及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鷲頭 光宏
, 緒方 和文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-191369
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064470
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 電極ピッチが非常に狭い半導体ICを用いて半導体IC内蔵モジュールを構成する。【解決手段】 樹脂層140,150と、樹脂層140,150を貫通して設けられたポスト電極120と、樹脂層140と樹脂層150との間に埋め込まれるように固定され、研磨により薄膜化された半導体IC130とを備える。半導体IC130のランド電極上にはスタッドバンプ132が設けられ、スタッドバンプ132はポスト電極120に対して位置決めされている。本発明では、半導体IC130に設けられたスタッドバンプ132がポスト電極120に対して位置決めされていることから、スタッドバンプ132の平面的な位置が実質的に固定的となり、したがって、100μm以下、特に60μm程度といった電極ピッチが非常に狭い半導体ICを用いることが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の樹脂層と、第2の樹脂層と、少なくとも前記第1及び第2の樹脂層内に埋め込まれたポスト電極と、前記第1の樹脂層と前記第2の樹脂層との間に埋め込まれるように固定された半導体ICとを備え、前記半導体ICのランド電極上にはスタッドバンプが設けられ、前記スタッドバンプは前記ポスト電極に対して位置決めされていることを特徴とする半導体IC内蔵モジュール。
IPC (3件)：
H01L23/12
, H01L21/60
, H05K3/46
H01L23/12 F
, H05K3/46 Q
, H01L23/12 N
, H01L21/92 604J
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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