特許
J-GLOBAL ID:200903044861154079
液晶表示装置及びその製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
稲葉 良幸 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-050332
公開番号(公開出願番号):特開平10-270710
出願日: 1998年03月03日
公開日(公表日): 1998年10月09日
要約:
【要約】【課題】 液晶表示装置のアクティブパネルの製造において、画素電極を形成する導電物質のエッチング工程で発生するアンダーカットによる断線及び段差を防ぐ製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート絶縁層、半導体層、不純物半導体層及びソースドレイン電極を形成する物質を基板の上に連続に蒸着する。前記ソース及びドレイン電極が形成される。そして、前記半導体層及び前記ゲート絶縁層が同時に形成される。従来の製造方法では、前記ソース及び前記ドレイン電極を形成する時に、その下の物質を同時にエッチングすることによって段差が発生し、画素電極を形成する時に前記段差によって断線不良が発生する。前記断線不良は、前記画素電極を形成する前に、有機物質から成る保護層を形成して表面を平坦にすることによって解決する。
請求項(抜粋):
基板上に第1導電層を形成する段階と、前記第1導電層上に絶縁層、真性半導体層、不純物半導体層及び第2導電層を連続的に形成する段階と、前記絶縁層及び前記真性半導体層をパターニングして前記第1導電層の一部を露出させる段階と、段差を解消するように前記第2導電層上に有機保護層を形成する段階と、前記第1導電層の一部及び前記第2導電層の一部に連結される第3導電層を形成する段階とを含む液晶表示装置の製造方法。
IPC (5件):
H01L 29/786
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, H01L 21/336
FI (8件):
H01L 29/78 619 A
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 616 K
, H01L 29/78 617 S
, H01L 29/78 627 C
引用特許:
出願人引用 (7件)
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液晶表示装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-188783
出願人:株式会社日立製作所
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薄膜半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-246776
出願人:キヤノン株式会社
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表示用薄膜半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-104746
出願人:ソニー株式会社
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液晶ディスプレイ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-166944
出願人:オーアイエス・オプティカル・イメージング・システムズ・インコーポレイティド
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特開平4-325237
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特開平3-116778
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特開平1-120070
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審査官引用 (10件)
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液晶表示装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-188783
出願人:株式会社日立製作所
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薄膜半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-246776
出願人:キヤノン株式会社
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表示用薄膜半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-104746
出願人:ソニー株式会社
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液晶ディスプレイ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-166944
出願人:オーアイエス・オプティカル・イメージング・システムズ・インコーポレイティド
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特開平4-325237
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特開平4-325237
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特開平3-116778
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特開平3-116778
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特開平1-120070
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特開平1-120070
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引用文献:
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