特許
J-GLOBAL ID：200903044887961169

電力用半導体装置

発明者：
為谷 典孝

為谷 典孝 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 青山 葆 ,  河宮 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-286031
公開番号（公開出願番号）：特開2004-127983
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】温度変化に対して精度よく過電流検出を可能とした電力用半導体装置を提供する。【解決手段】電力用半導体装置は、半導体チップ上に形成され、2つの主端子C、Eと、主端子間の導通を制御する制御端子Gと、電流検出のためのセンス端子Sとを有するスイッチング素子11x〜11zと、半導体チップ上に取り付けられ、スイッチング素子11xの温度を検出する温度センサ15と、スイッチング素子11xのセンス端子Sからの出力を一方の入力とし、温度センサ15の出力を他方の入力とし、それらの入力の比較結果を電流検出信号と出力するコンパレータ21とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップ上に形成され、2つの主端子と、主端子間の導通を制御する制御端子と、電流検出のためのセンス端子とを有するスイッチング素子と、 前記半導体チップ上に取り付けられ、前記スイッチング素子の温度を検出する温度センサと、 前記スイッチング素子のセンス端子からの出力を一方の入力とし、前記温度センサの出力を他方の入力とし、それらの入力の比較結果を電流検出信号と出力するコンパレータと を備えたことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (3件)：
H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02H3/08
FI (2件)：
H01L25/04 C ,  H02H3/08 T
Fターム (7件)：
5G004AA04 ,  5G004AB02 ,  5G004BA04 ,  5G004CA04 ,  5G004DA04 ,  5G004DC12 ,  5G004EA01
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM