特許
J-GLOBAL ID：200903044900570395

光起電力素子及びその製造方法

発明者：
羽賀 孝裕

羽賀 孝裕 について

, 
廣瀬 浩一

廣瀬 浩一 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210861
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044461
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【目的】 回り込みによる特性低下を低減すると共に、無効部を低減する。【構成】 結晶系半導体基板1の両面に、互いに逆導電型を有する非晶質又は微結晶からなる半導体層3、5を設けてなる光起電力素子であって、表面側の前記半導体層5は、前記基板1の略全面に形成され、裏面側の前記半導体層3は、前記基板1より小面積であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
結晶系半導体基板の両面に、互いに逆導電型を有する非晶質又は微結晶からなる半導体層を設けてなる光起電力素子であって、表面側の前記半導体層は、前記基板の略全面に形成され、裏面側の前記半導体層は、前記基板より小面積であることを特徴とする光起電力素子。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 31/04 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 A
Fターム (23件)：
5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AF03 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DB06 ,  5F051AA02 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB04 ,  5F051DA04 ,  5F051DA07 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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