特許

J-GLOBAL ID：200903044937031990

表面加工方法

発明者： 小野 哲郎 ,  宮崎 博史 ,  浜崎 良二 ,  久礼 得男 ,  徳永 尚文 ,  児島 雅之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-030865
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233488
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】プラズマを用いた半導体のエッチングにおいて、多結晶シリコンのエッチ速度の低下とエッチ残りの発生を抑え、かつ高い対酸化膜選択比を保つ。【解決手段】プラズマを用いる表面加工で、表面加工開始から終了までを複数のステップに分けて、かつそれらのステップを、加工を終了させる下地物質との加工速度比が比較的小さいが加工速度が大きい前半と、比較的加工速度比が大きい後半の2つに分け、少なくとも後半のステップの一つで、高周波電圧をオンとオフの期間に分けて繰り返し印加する。

請求項（抜粋）：

真空容器内にプラズマを発生させ、該プラズマにより表面加工される試料が配置される試料台に高周波電圧を印加して、前記試料の表面加工開始から終了までを複数のステップに分け、かつそれらのステップを加工を終了させる下地物質との加工速度比が比較的小さい前半と、比較的大きい後半の2つに分け、少なくとも後半のステップの一つで、高周波電圧をオンとオフの期間に分けて繰り返し印加することを特徴とする表面加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法と製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-265749   出願人：富士通株式会社
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-064265   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-105413
  
• プラズマエッチング装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-059368   出願人：富士通株式会社