特許
J-GLOBAL ID：200903044940916499
フォトレジスト膜現像方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-207669
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061135
出願日： 1992年08月04日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】フォトレジスト膜現像の際、時間とともに減少する現像液濃度を補償することによってフォトレジスト膜残り、スカムの発生を防止し、フォトレジストパターンを再現性よく形成する。【構成】本発明のフォトレジスト膜現像方法は現像開始時に最初の現像液滴下を5秒間行い現像が開始され、その後ウェハー界面に現像がほぼ到達する10秒後に2回目の現像液滴下を5秒間行い、現像液濃度を補償する。その結果、濃度不足に原因するフォトレジストの溶解性の低下がなくなる。
請求項（抜粋）：
フォトレジスト膜が形成された半導体基板に、所望の半導体集積回路パターンを描いたマスクまたはレチクルを通して露光後、現像液を用いて現像するフォトレジスト膜現像方法において、現像途中にその現像液濃度を少なくとも一度補償し現像することを特徴とするフォトレジスト膜現像方法。
引用特許：
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