半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-331409
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172023
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】低抵抗のポリシリコン層を備えた素子と高速バイポーラトランジスタとを同一基板上に形成し、高速のバイポーラトランジスタのIC化を図る。【解決手段】バイポーラトランジスタのコレクタ層11aが形成された基板11上にポリシリコン膜21を成膜して不純物を導入し、不純物の活性化熱処理を行う。ポリシリコン膜21をパターニングして基板11の表面側に活性化した不純物を含有するポリシリコン層21aからなる抵抗素子を形成する。その後、基板11上に、成膜した第1半導体層12をパターングしてなるベース層12aと、第1半導体層12上に積層成膜した第2半導体層13をパターニングしてなるエミッタ層13aとを形成する。これによって、ベース層12の結晶状態及び不純物拡散状態に対して、ポリシリコン層21a中の不純物の活性化熱処理の影響を及ぼすことなく、バイポーラトランジスタ22とポリシリコン層21aからなる抵抗素子とを同一基板11の表面側に形成する。

請求項（抜粋）：

活性化した不純物を含有するポリシリコン層を備えた素子とバイポーラトランジスタとを同一基板に形成してなる半導体装置の製造方法において、前記基板上に前記ポリシリコン層を形成する工程を行った後に、当該基板上に前記バイポーラトランジスタのベース層を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-131316 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-251253 出願人：日本電気株式会社
特開平4-359520

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