特許
J-GLOBAL ID:200903044963725518

多層ターゲットに盲導通孔を形成するために種々のエネルギー密度のUSレーザパルスを使用する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-542323
公開番号(公開出願番号):特表2000-511113
出願日: 1997年03月10日
公開日(公表日): 2000年08月29日
要約:
【要約】連続ポンプ送りされ、Q-スイッチされるNd:YAGレーザ(10)は金属層(64、68)と誘電体層(66)をもつターゲット(40)に導通孔(72、74)を形成するための紫外線光(62)を供給するために、しばしば変換される。本発明は金属層を融除するために高パワー密度の第1レーザ出力を使用し、誘電体層を融除するために低パワー密度の第2レーザ出力を使用する。出力パルス(62)のパラメータは実質上清浄な一連の穿孔又は導通孔形成を容易ならしめるように選択される。これらのパラメータは典型的には、下記の基準の少なくとも2つを含む:即ち最初は導体の融除限界より上で、次いでその限界より下のパワー密度、400nmより小さい波長、約100ナノセコンドより短い時間的パルス幅、約1キロヘルツより大きい反復率を含む。2つのパワー密度で紫外線光出力パルスを発生する能力は、金属層によって両面を覆われた誘電体層材料からなるターゲットの如き多層ターゲットに深さ自己制限型の盲導通孔を形成することを容易ならしめる。
請求項(抜粋):
第1と第2の導体融除エネルギー限界を夫々もつ少なくとも第1と第2の導 体層と、表面と誘電体融除エネルギー限界をもつ誘電体層を含む多層型ターゲ ットに深さ自己制限型の盲導通孔をレーザ機械加工する方法であって、第1と 第2の導体層が、夫々誘電体層の表面の上と下に位置し、第1と第2の導体融 除エネルギー限界は誘電体融除エネルギー限界を超えてなるレーザ機械加工方 法において、第1空間的スポットサイズ上に第1エネルギー密度をもつ少なく とも1つのレーザパルスを含む第1レーザ出力を発生させ、その際第1エネル ギー密度は第1導体融除エネルギー限界より大きいものとなし; ターゲットの第1スポット面積内で第1導体層を除去するためにターゲット に第1レーザ出力を印加し; 第2螺旋スポットサイズ上に第2エネルギー密度をもつ少なくとも1つのレ ーザパルスを含む第2レーザ出力を発生させ、その際第2エネルギー密度は第 1と第2の導体融除エネルギー限界より小さく、かつ誘電体融除エネルギー限 界より大きく; ターゲットの第2スポット面積内で誘電体層を除去するために、かつ第2エ ネルギー密度が第2導体融除エネルギー限界より小さいが故に、第2導体層を 実質上蒸発されない状態のままに残し、それによって深さ自己制限型の盲導通 孔を形成するために第2レーザ出力を印加すること、 を含むことを特徴とするレーザ機械加工方法。
IPC (6件):
B23K 26/00 330 ,  B23K 26/00 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46 ,  B23K101:36
FI (5件):
B23K 26/00 330 ,  B23K 26/00 H ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 X ,  H01L 23/12 Z
引用特許:
審査官引用 (3件)

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