III-V族化合物面発光レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小野由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210126
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097796
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 GaN系III-V族窒化物面発光レーザの制作を容易にする。【解決手段】半導体基板上に、1対の分散ブラッグ反射器に挟まれて位置するキャビティを有するIII-V族化合物面発光レーザであって、分散ブラッグ反射器は、空気層及び空気層よりも高い屈折率を有する物質層が交互に積層して形成されている。空気よりも高い屈折率を有する物質層が、GaN、AlN及びInNの化合物のうちから選択されるいずれか一つの化合物からなると好ましい。キャビティは、InxGa1-xN( 0≦x≦1)のMQWからなる活性層と、それぞれ活性層を挟んで位置する、キャリア制限のためのn-AlyGa1-yN(0≦y≦1、0≦z≦1)からなる第1キャリア制限層及びp-AlzGa1-zNからなる第2キャリア制限層とを備えると好適である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部分散ブラッグ反射器、キャビティ及び上部分散ブラッグ反射器を備えたIII-V族化合物面発光レーザにおいて、前記下部及び上部分散ブラッグ反射器は低屈折率の空気層及び前記低屈折率の空気層より高屈折率を有する物質層の対が積層して形成されたことを特徴とするIII-V族化合物面発光レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

面出射形半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-152833 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-082869 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-068587

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