特許
J-GLOBAL ID：200903045005822083

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
国井 正文

国井 正文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-301884
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144926
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 と共に絶縁膜基板中の可動イオンの影響による閾値電圧のシフトを防止し、また製造時は低温プロセスで高品質のゲート絶縁膜を形成できるようにする。【解決手段】 ゲート絶縁膜103が窒化シリコン膜(SiNx )103aとこの上のTEOS二酸化シリコン(SiO2 )膜103bの2層構造となっている。TEOS二酸化シリコン膜103bは有機系シランガス(Si(C2H5)4O4:テトラ・エチル・オルソ・シリケート)をプラズマ分解して生成される。ボトムゲート構造により多結晶シリコン膜104と絶縁基板101とがゲート電極102を介しており、しかもこれらの間にゲート絶縁膜103に含まれる窒化シリコン膜103aが介在しているため、絶縁基板101中の可動イオンの多結晶シリコン膜104内への拡散が抑制される。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上に形成されたゲート電極と、有機系シラン化合物をプラズマにより分解して生成された二酸化シリコン膜を少なくとも含むと共に前記ゲート電極および絶縁基板上に形成されたゲート絶縁膜と、非単結晶シリコンを主成分とし、ソース領域およびドレイン領域が選択的に形成されると共に前記ゲート絶縁膜上に形成された薄膜とを備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (5件)：
H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 617 T
引用特許：
審査官引用 (4件)
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