特許
J-GLOBAL ID：200903045031049104
アクティブマトリクス型液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046691
公開番号（公開出願番号）：特開平10-239708
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】アモルファスシリコンのレーザーアニール時のレーザーのスキャン方向に生ずる結晶欠陥に起因する表示特性のばらつきを抑えることが出来、また、画素電極に複数の薄膜トランジスタを接続する構成における表示装置の開口率を向上させることができるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 画素電極55に2個の薄膜トランジスタ50、53を直列に接続する構成における双方のトランジスタのチャネル長の方向を直交させ、一方のトランジスタ50のチャネル長の方向を信号線52Aの長手方向と一致させてその真下に形成し、かつそのトランジスタ50を走査線40Aとの交点に形成して構成される。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された複数本の走査線と、この複数本の走査線と交差して形成された複数本の信号線と、前記走査線と信号線の交点のそれぞれに形成された複数個の薄膜トランジスタと、前記走査線と信号線とにより区画された領域内にそれぞれ形成され前記薄膜トランジスタと接続された複数の画素電極とが設けられてなるアレイ基板を備えるアクテイブマトリクス型液晶表示装置において、前記走査線と信号線の交点のそれぞれには、走査線に接続されたゲート電極と信号線に接続されたドレイン電極と前記信号線の長手方向にチャネル長を有する第1の薄膜トランジスタと、前記走査線に接続されたゲート電極と第1の薄膜トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極と前記画素電極に接続されたソース電極と前記走査線の長手方向にチャネル長を有する第2の薄膜トランジスタと、を少なくとも具備し、前記第1の薄膜トランジスタは前記信号線の下方に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
