特許
J-GLOBAL ID：200903045041150784

高周波電力を使ったプラズマ反応により半導体基板上に低比誘電率膜を形成するための方法

発明者：
メンソ・ヘンドリックス

メンソ・ヘンドリックス について

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辻 直人

辻 直人 について

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高橋 聡

高橋 聡 について


出願人/特許権者：
日本エー・エス・エム株式会社

日本エー・エス・エム株式会社 について


代理人 (2件)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-065023
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282064
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】低比誘電率及び高い機械的硬度を併せ持つ薄膜を形成するための方法を提供する。【解決手段】低比誘電率及び高い機械的硬度を有する膜をプラズマ反応によって半導体基板上に形成するための方法は、(i)ソースガスとしてシリコン含有炭化水素ガスを半導体基板が配置されるプラズマCVD処理用反応空間内に導入する工程と、(ii) 反応空間内のプラズマ重合反応を活性化するべく反応空間の圧力を100Paまたはそれ以上に維持しながら反応空間へ1000Wまたはそれ以上の高周波電力を印加する工程であって、それによって前記半導体基板上に薄膜が形成されるところの工程を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
低比誘電率及び高い機械的硬度を有する膜をプラズマ反応によって半導体基板上に形成するための方法であって、 ソースガスとしてシリコン含有炭化水素ガスを半導体基板が配置されるプラズマCVD処理用の反応空間内に導入する工程であって、前記シリコン含有炭化水素はプラズマ反応によってシロキサン重合体を形成するべく自己重合または架橋剤と重合することができるところの工程と、 反応空間内のプラズマ重合反応を活性化するべく反応空間の圧力を100Paまたはそれ以上に維持しながら反応空間へ1000Wまたはそれ以上の高周波電力を印加する工程であって、それによって前記半導体基板上に薄膜が形成されるところの工程と、 から成る方法。
IPC (1件)：
H01L21/316
FI (1件)：
H01L21/316 X
Fターム (6件)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第6,352,945号明細書
  • 米国特許第6,383,955号明細書
  • 米国特許第6,410,463号明細書
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審査官引用 (2件)

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