半導体基板上のシロキサン重合体膜及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-104883
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329718
出願日： 2002年04月08日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】信頼性が高い低誘電率のシロキサン重合体絶縁膜を製造する。【解決手段】シロキサン重合体絶縁膜は3.1若しくはそれ以下の誘電率を有し、20%若しくはそれ以下のC原子濃度を有する-SiR2O-繰り返し構造単位を有する。シロキサン重合体はまた高い耐熱性及び高い耐湿性を有する。シロキサン重合体は、化学式SiαOα-1R2α-β+2(OCnH2n+1)β(ここでαは1〜3の整数、βは2、nは1〜3の整数及びRはSiに結合するC1-6炭化水素である)のシリコン系炭化水素化合物を直接気化し、その後気化した化合物を酸化剤とともにプラズマCVD装置の反応チャンバへ導入することによって形成される。ソースガスの滞留時間は反応ガスの総流量を減少させることによって延長され、それによって低誘電率を有する多孔質構造のシロキサン重合体膜が形成される。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理によって半導体基板上にシロキサン重合体絶縁膜を形成するための方法であって、シロキサン重合体用の材料ガスを製造するべくシリコン系炭化水素化合物を気化する工程であって、前記シリコン系炭化水素は化学式SiαOα-1R2α-β+2(OCnH2n+1)β(ここでαは1〜3の整数、βは2、nは1〜3の整数及びRはSiに結合するC1-6炭化水素である)を有するところの工程と、半導体基板が配置されたプラズマCVD処理用反応チャンバ内に材料ガスを導入する工程と、不活性ガス及び酸化ガスから成る添加ガスを導入する工程であって、前記酸化ガスは材料ガスより少ない量で使用されるところの工程と、反応チャンバ内でプラズマ重合反応を起こすことによって半導体基板上に-SiR2O-繰り返し構造単位を有するシロキサン重合体膜を形成する工程と、から成る方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/312 C , H01L 21/90 N , H01L 21/90 P

Fターム (18件)：

5F033HH11 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033RR01 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS15 , 5F033WW04 , 5F033XX04 , 5F033XX18 , 5F033XX24 , 5F033XX25 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AD01 , 5F058AF02 , 5F058AG04 , 5F058AH01

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜及びその膜を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-161641 出願人：日本エー・エス・エム株式会社
酸化プラズマを用いた低誘電率膜の堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-121623 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-256969 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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