特許
J-GLOBAL ID：200903045042025908
多結晶シリコン薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048229
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242052
出願日： 1997年03月03日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 ゲート電極上方のa-Si膜を多結晶化し均質なp-Siを形成する。【解決手段】 基板10上に形成されたゲート電極12の上方にゲート絶縁膜14を介してゲート電極12を跨ぐようにa-Si膜20を形成し、その後a-Si膜20に対して多結晶化アニール(ELA又はRTA)を行う。予めゲート電極12の近接領域にゲート電極12と同一工程でゲートダミー膜16を形成することにより、ゲート電極12及びゲートダミー膜16の上方領域におけるa-Siでの熱容量が同程度となり、TFTのチャネル及びその周辺領域内に均質なp-Siを形成できる。また、ゲート電極にゲート開口部や突出部を設け、或いはゲート電極を屈曲帯状パターンとしても、ゲート形成領域上に均一なp-Siを形成できる。
請求項（抜粋）：
基板上にパターニングされたゲート電極と、前記ゲート電極の近接領域に形成され、前記ゲート電極と同程度の熱容量を有する材料膜と、を有し、前記ゲート電極及び前記材料膜の上方に非晶質シリコン膜を形成し、この非晶質シリコン膜をアニール処理によって多結晶化し、得られた多結晶シリコン膜を薄膜トランジスタの能動層に用いることを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
