特許
J-GLOBAL ID：200903045042946329
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-089776
公開番号（公開出願番号）：特開2009-246085
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】固体電解質メモリには書き換えを繰り返すことで固体電解質中のイオンA量及び電極の形状が変化してしまうため、安定した書き換えが困難であるという課題がある。【解決手段】固体電解質層の抵抗変化によって情報を記憶または回路接続を変化させる半導体装置において、固体電解質層を例えばCu-Ta-S、それに隣接または近接するイオン供給層をCu-Ta-Oの組成にして、イオン供給層から供給されたイオンが固体電解質層内に導電パスを形成することにより、抵抗の高低により情報が記憶されるようにし、電気パルスを印加することで抵抗を変化させることができる。上記イオン供給層は例えばCu-Ta-O=1:2:6の組成比を持つ結晶であり、安定して書換え動作を行うことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基盤上に設けられた電気抵抗の変化を起こすことによって情報を記録する記録層と、
前記記録層の前記基盤側の一主面上に設けられた第1の電極と、
前記記録層の前記一主面に対向する他主面上に設けられた第2の電極とを備え、
前記記録層は、前記第1の電極に接する側に配置された第1層と前記第2の電極に接する側に配置された第2層との少なくとも2層より成り、
前記第1層は、Ag、Cu、Au、Znからなる群より選ばれた少なくとも1種類の元素と、Ta、W、Mo、Gdからなる群より選ばれた少なくとも1種類の元素と、酸素とを含んでなる結晶相であり、
前記第2層は、Ag、Cu、Au、Znからなる群より選ばれた少なくとも1種類の元素とS、Se、Teからなる群より選ばれた少なくとも1種類の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083GA21
, 5F083JA55
, 5F083JA60
, 5F083LA21
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR40
