特許
J-GLOBAL ID:200903045056723527

ヒューズ抵抗器およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-223002
公開番号(公開出願番号):特開平11-162714
出願日: 1998年08月06日
公開日(公表日): 1999年06月18日
要約:
【要約】【課題】 レーザトリミング時に生じる熱による抵抗体層の変質がなく、抵抗体としての特性が劣化しにくく抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁基板41の上面に狭小して設けられた負荷集中部43を有する活性化層42と、活性化層42の上面に設けられた抵抗体層44と、抵抗体層44の側部に設けられた一対の上面電極層と、負荷集中部43に設けられた低融点物質層47と、絶縁基板41の側面に設けられた側面電極層49とを備え、負荷集中部43の形成にレーザを用いないため、抵抗体層44が劣化しにくいヒューズ抵抗器およびその製造方法を提供することができる。
請求項(抜粋):
絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に狭小して設けられた負荷集中部を有する活性化層と、前記活性化層の上面に設けられた抵抗体層と、前記抵抗体層の側部に隣接するとともに前記抵抗体層と電気的に接続するように設けられた一対の上面電極層と、少なくとも前記負荷集中部に設けられた低融点物質層と、前記基板の側面に前記上面電極層と電気的に接続するように設けられた側面電極層とを備えたヒューズ抵抗器。
IPC (4件):
H01C 13/00 ,  H01C 1/14 ,  H01C 7/13 ,  H01C 17/06
FI (4件):
H01C 13/00 F ,  H01C 1/14 F ,  H01C 7/13 ,  H01C 17/06 P
引用特許:
審査官引用 (15件)
  • チップ型ヒューズ抵抗器およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-269665   出願人:松下電器産業株式会社
  • 特開平2-043701
  • 導電回路の形成方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-282136   出願人:矢崎総業株式会社
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