特許
J-GLOBAL ID：200903045064351140
ホールセンサ集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050515
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263771
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 設計値に近接するとともに経時的変動が低減した出力電圧を発生するホールセンサ集積回路を提供する。【構成】 半絶縁性基板10中にp型領域11及びn型領域12が順次形成されている。このn型領域12上の所定領域には、ホール素子1を構成する電極層20〜23が形成されているとともに、電子回路素子として電界効果トランジスタ2を構成する電極層30〜32が形成されている。この電極層20〜23及び電極層30〜32の間における所定領域には、配線層50〜52が形成されるとともに、絶縁層40が充填して形成されている。ここで、半絶縁性基板1中のp型領域11は、ホール素子1の形成領域にのみ形成されておらず、その他に位置する電界効果トランジスタ2の形成領域などに形成されている。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板上にモノリシックに集積化したホール素子と電子回路素子とを備えたホールセンサ集積回路において、前記半絶縁性基板における前記ホール素子の形成領域は第1導電型ドーパントを注入した第1導電型領域から構成されており、前記半絶縁性基板における前記電子回路素子の形成領域は第2導電型ドーパントを注入した第2導電型領域と第1導電型ドーパントを注入して前記第2導電型領域に積層した第1導電型領域とから構成されていることを特徴とするホールセンサ集積回路。
IPC (3件)：
H01L 43/06
, G01R 33/07
, H01L 27/22
