基板めっき方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-239490
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058486
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】簡単な工程で、半導体基板に形成された微細窪みにボイドや汚染の少ないめっき金属を効率良く充填して、配線を形成することができる基板めっき装置及び方法を提供する。【解決手段】半導体基板Wの配線用窪み42にめっき金属43を充填するための基板めっき装置において、基板上に初期膜41を無電解めっきで形成する無電解めっき槽20と、洗浄槽21と、初期膜を電極として電解めっきを行い窪みを充填する電解めっき槽22とが近接して設置され、各槽の間で基板を移送する移送手段62が設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の配線用窪みにめっき金属を充填するための基板めっき方法において、基板上に初期膜を形成する無電解めっき工程と、前記初期膜を給電層として電解めっきを行い前記窪みを充填する電解めっき工程とを行うことを特徴とする基板めっき方法。

IPC (2件)：

H01L 21/288 , C23C 18/16

FI (2件)：

H01L 21/288 E , C23C 18/16 B

Fターム (12件)：

4K022AA05 , 4K022BA08 , 4K022CA05 , 4K022CA06 , 4K022CA18 , 4K022CA21 , 4K022DA01 , 4K022DB08 , 4M104BB04 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104HH13

引用特許：

審査官引用 (5件)

無電解メッキによる集積回路の配線方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-111622 出願人：株式会社明電舎
外部接続用電極の製造方法及び外部接続用電極及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-164806 出願人：富士通株式会社
配線基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-331282 出願人：株式会社村田製作所

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