特許
J-GLOBAL ID：200903045089162830
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157616
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349397
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 動作電圧をほとんど上昇させることなく、閾値電流密度を低減することのできる窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN系半導体レーザのp型クラッド層を互いにバンドギャップの異なる2以上の半導体層により構成し、かつ、p型クラッド層の活性層側の界面近傍の部分を他の部分に比べてバンドギャップの大きい半導体層により構成する。具体的には、AlGaN/GaN/GaInN SCH構造のGaN系半導体レーザにおいて、p型AlGaNクラッド層10を、p型GaN光導波層9に接するp型Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>N層10aと、p型Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>N層10a上のp型Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>N層10b(ただし、0≦x2<x1≦1)とにより構成する。
請求項（抜粋）：
活性層をn型クラッド層およびp型クラッド層により挟んだ構造を有し、上記活性層、上記n型クラッド層および上記p型クラッド層は窒化物系III-V族化合物半導体からなる半導体発光素子において、上記p型クラッド層が互いにバンドギャップの異なる2以上の半導体層により構成され、かつ、上記p型クラッド層の上記活性層側の界面近傍の部分が他の部分に比べてバンドギャップの大きい半導体層により構成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 673
, H01L 33/00 C
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA14
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041FF16
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073EA23
