高い逆降伏電圧を有するツェナーダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244623
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181334
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【課題】従来より高い降伏電圧を有するツェナーダイオードを得ること。【解決手段】本ツェナーダイオードは、第1の導電型の半導体基板2内に設けられた反対の導電型の第1のタンクを有する半導体基板2を与えることにより作られる。第1のタンクは比較的低い、また比較的高い固有抵抗部分9、7を有し、比較的低い固有抵抗部分9は比較的高い固有抵抗部分7を半導体基板2から分離する。第1の導電型の第1の領域3は高い固有抵抗部分に設けられ、反対の導電型で、第1のタンクより高度にドープされた第2の領域11は第1の領域3から離間されている。第1のタンクから離間されたフィールドプレート17が反対の導電型の粒子をはねつけるために第1と第2の領域間に与えられる。またフィールドプレート17に代わる構成も開示されている。

請求項（抜粋）：

ツェナーダイオードであって、(a)第1の導電型の半導体基板と、(b)前記基板と反対の導電型を有する、前記基板に設けられた第1のタンクと、(c)前記第1のタンクに設けられた前記第1の導電型の第1の領域と、(d)前記タンクより高度にドープされ、前記第1の領域から離間された前記反対の導電型の第2の領域と、(e)前記第1および第2の領域に対するコンタクト、を有するツェナーダイオード。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平1-260863
特開平1-260863
集積電圧制限兼安定化素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-203669 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセエッレエーレ

全件表示

前のページに戻る