特許
J-GLOBAL ID:200903045128594859
プリプレグ、基板および半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-216432
公開番号(公開出願番号):特開2008-038066
出願日: 2006年08月09日
公開日(公表日): 2008年02月21日
要約:
【課題】薄膜化に対応することが可能であり、かつプリプレグの両面に異なる用途、機能、性能または特性等を付与することができるプリプレグを提供し、上記プリプレグを有する基板および半導体装置を提供する。【解決手段】プリプレグは、シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第1樹脂層および他方面側に形成される第2樹脂層をと有し、第1樹脂層上に導体層を形成して使用されるプリプレグであって、前記第1樹脂層を構成する第1樹脂組成物と、前記第2樹脂層を構成する第2樹脂組成物が異なることを特徴とする。また、基板は、上記に記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする。また、半導体装置は、上記に記載の基板を有することを特徴とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第1樹脂層および他方面側に形成される第2樹脂層とを有し、第1樹脂層上に導体層を形成して使用されるプリプレグであって、
前記第1樹脂層を構成する第1樹脂組成物と、前記第2樹脂層を構成する第2樹脂組成物とが異なることを特徴とするプリプレグ。
IPC (5件):
C08J 5/24
, H01L 23/14
, H05K 1/03
, B32B 27/42
, B32B 15/08
FI (5件):
C08J5/24
, H01L23/14 R
, H05K1/03 610H
, B32B27/42 102
, B32B15/08 U
Fターム (35件):
4F072AA04
, 4F072AA07
, 4F072AB09
, 4F072AB28
, 4F072AD45
, 4F072AE01
, 4F072AG03
, 4F072AH02
, 4F072AL09
, 4F072AL13
, 4F100AB17
, 4F100AG00
, 4F100AH03B
, 4F100AK01B
, 4F100AK01C
, 4F100AK33C
, 4F100AK35B
, 4F100AK53
, 4F100AR00D
, 4F100AT00A
, 4F100BA04
, 4F100BA10C
, 4F100BA10D
, 4F100CA02B
, 4F100DG01
, 4F100DH01
, 4F100GB43
, 4F100JB12B
, 4F100JG01D
, 4F100JK06
, 4F100JK06B
, 4F100JK06D
, 4F100JL02
, 4F100YY00B
, 4F100YY00D
引用特許:
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