特許
J-GLOBAL ID：200903045129724683
レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-087420
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277053
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】基板上の局所的な領域に液膜を介して露光する液浸露光において、レジストパターンに欠陥が発生することを抑制する。【解決手段】 基板上にレジスト膜を形成する(ステップST102)。前記レジスト膜が形成された基板を、パターンが形成されたレチクルおよび投影光学系を具備する露光装置に搬送する(ステップST105)。前記レジスト膜上の局所的な領域に第1の液膜を選択形成するために、局所的に液膜が形成された状態で液浸露光を行う(ステップST105)。前記基板上の略全面に第2の液膜を形成するために、第2の薬液を前記レジスト膜上に供給する(ステップST108)。前記第2の液膜を除去する(ステップST109)。前記潜像が形成されたレジスト膜を加熱する(ステップST110)。前記レジスト膜を現像する(ステップST111)。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜が形成された基板およびパターンが形成されたレチクルを、投影光学系を具備する露光装置に搭載する工程と、
前記レジスト膜上の局所的な領域に第1の液膜を選択形成するために、前記レジスト膜上への第1の薬液の供給と供給された第1の薬液の回収とを行う工程であって、前記第1の液膜は流れを有し、前記第1の液膜を前記レジスト膜と投影光学系との間に形成する工程と、
前記レジスト膜に潜像を形成するために、前記第1の液膜が形成された状態で前記レチクルに形成されたパターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
前記基板上の略全面に第2の液膜を形成するために、第2の薬液を前記レジスト膜上に供給する工程と、
前記第2の液膜を除去する工程と、
前記除去後、前記潜像が形成されたレジスト膜を加熱する工程と、
前記加熱されたレジスト膜からレジストパターンを形成するために、前記レジスト膜を現像する工程と、
を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/027
, G03F7/20
, G03F7/38
H01L21/30 568
, G03F7/20 521
, G03F7/38 501
, G03F7/38 511
, H01L21/30 515D
, H01L21/30 565
2H096AA25
, 2H096BA20
, 2H096DA04
, 2H096EA18
, 2H096FA01
, 2H096FA05
, 2H096JA02
, 2H096JA03
, 5F046BA05
, 5F046CB01
, 5F046JA22
