特許

J-GLOBAL ID：200903045168545931

半導体ウエハの洗浄方法

発明者： 沖 一郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009883
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209101
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 従来の洗浄装置では、高圧容器内で減圧されて、洗浄物質が超臨界状態から気体状態に変化すると、洗浄物質中に溶出している汚染物質の溶解度が低下して、ウエハ表面や高圧容器の内壁に汚染物質が付着する逆汚染が生じる。【解決手段】 まず、被洗浄ウエハ100は高圧洗浄容器101内の冷却、加熱機構を備えたウエハステージ102に置かれる。CO2を、加熱器108で35〜40°Cに加熱し、超臨界流体とし、注入口109から高圧洗浄容器101内に送る。また、CO2固体微粒子を、超臨界流体をキャリアとして、注入口114より高圧洗浄容器内に送られて、被洗浄ウエハ表面に噴出される。

請求項（抜粋）：

洗浄容器内で、被洗浄半導体ウエハ表面に、超臨界状態の洗浄物質をさらしつつ、上記洗浄容器内よりもより高圧で形成した洗浄物質の固体微粒子を噴射して洗浄することを特徴とする、半導体ウエハの洗浄方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平1-170026
  
• 基板から汚染物を取り除く方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-010641   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 洗浄方法および洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-077525   出願人：シャープ株式会社