特許
J-GLOBAL ID：200903045201082802
分極電界が減少された窒化物半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329082
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158297
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、GaNベースの半導体から製造された発光体及び光検出器の効率を向上させるための構造に関する。【解決手段】 III族窒化物量子井戸層を含む発光半導体デバイスを製造する方法は、量子井戸層のファセット配向を選択し、圧電界の電界強さ及び/又は量子井戸層における自然発生的電界の電界強さを制御すること、及び選択されたファセット配向をもつ前記量子井戸層を成長させることを含む。ファセット配向は、例えば圧電界の大きさ及び/又は自然発生的電界の大きさを減少させるように、選択することができる。ファセット配向はまた、圧電界と自然発生的電界との結合された電界強さの大きさを制御するか減少させるように、選択することができる。量子井戸層における圧電界、自然発生的電界、又は圧電界と自然発生的電界との結合された電界強さのそれぞれが減少された大きさになる結果、本発明による発光デバイスは、公知技術のデバイスに比較して効率を高めて、光を生成することができる。
請求項（抜粋）：
III族窒化物量子井戸層を含む発光半導体デバイスを製造するための方法であって、基板表面上に核形成層を直接成長させること、前記III族窒化物量子井戸層内の圧電界の電界強さを制御するために該井戸層のファセット配向を選択すること、及び前記核形成層上に前記選択されたファセット配向をもつ前記III族窒化物量子井戸層を成長させること、を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F045AA04
, 5F045AB17
, 5F045AD15
, 5F045AF02
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045DA55
