特許

J-GLOBAL ID：200903045221614320

窒化物半導体素子

発明者： 中村 修二 ,  清久 裕之 ,  小崎 徳也 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-126989
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191637
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【目的】 結晶欠陥の少ない窒化物半導体を下地層として用い、例えばレーザ素子、LED素子、受光素子等に使用できる高効率で信頼性の高い窒化物半導体素子を実現する。【構成】 結晶欠陥が少ない領域と、結晶欠陥が多い領域とを有する窒化物半導体よりなる下地層に、活性層を含む窒化物半導体層が成長されており、結晶欠陥が少ない領域の下地層上部に成長された活性層の面積が、結晶欠陥が多い領域の下地層上部に成長された活性層の面積よりも大きい。または結晶欠陥が多い領域と、結晶欠陥が少ない領域とを有する窒化物半導体よりなる下地層上部にレーザ発振領域を有しており、そのレーザ発振領域は結晶欠陥が少ない下地層上部に設けられている。これらの構成により結晶欠陥が活性領域に転位しないので長寿命な素子が得られる。

請求項（抜粋）：

結晶欠陥が少ない領域と、結晶欠陥が多い領域とを有する窒化物半導体よりなる下地層上部に、活性層を含む窒化物半導体層が成長されており、結晶欠陥が少ない領域の下地層上部に成長された活性層の面積が、結晶欠陥が多い領域の下地層上部に成長された活性層の面積よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-227679   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-127521
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-288365   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-172042   出願人：日亜化学工業株式会社