含フッ素環状化合物、含フッ素高分子化合物、それを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-044142
公開番号（公開出願番号）：特開2005-232095
出願日： 2004年02月20日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】本発明は、新規な含フッ素環状化合物、含フッ素高分子化合物を提供し、紫外線領域から近赤外線領域に至るまでの幅広い波長領域で高い透明性を有し、かつ基板への高い密着性及び成膜性、高いエッチング耐性を併せ持ったレジスト材料、それを用いたパターン形成方法を提供することにある。また、半導体デバイス用パッケージ材料を提供することである。【解決手段】下記の一般式(1)で表される含フッ素環状化合物。【化1】一般式(1)中、R1aは炭素数1〜25の環状のアルキル基、環状のアルケニル基、環状のアルキニル基である。R2、R3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R1a、R2、R3はフッ素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、炭素-炭素二重結合を含有する原子団を含んでもよい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記の一般式(1)で表される含フッ素環状化合物。

IPC (11件)：

C07C49/573 , C07C33/05 , C07C49/323 , C07C49/345 , C07C69/003 , C07C69/653 , C08F16/26 , C08F20/22 , C08F32/04 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (11件)：

C07C49/573 , C07C33/05 D , C07C49/323 , C07C49/345 , C07C69/003 C , C07C69/653 , C08F16/26 , C08F20/22 , C08F32/04 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (45件)：

2H025AA01 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB46 , 4H006BJ30 , 4H006BM10 , 4H006BM71 , 4H006BN10 , 4H006FC34 , 4H006FE11 , 4H006FE71 , 4H006FE74 , 4H006KC14 , 4J100AE09P , 4J100AE18P , 4J100AJ03Q , 4J100AL08P , 4J100AL24Q , 4J100AL26Q , 4J100AR05P , 4J100AR09P , 4J100AR11P , 4J100BA03P , 4J100BA12P , 4J100BB13P , 4J100BC08P , 4J100BC12P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100DA01 , 4J100JA37

引用特許：

出願人引用 (3件)

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320105 出願人：富士通株式会社
ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-258836 出願人：富士写真フイルム株式会社
半導体パッケージ材料および半導体パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-045372 出願人：凸版印刷株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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