特許

J-GLOBAL ID：200903045261349298

レ-ザアニ-ル装置およびレ-ザアニ-ル方法

発明者： 鈴木 尚樹 ,  平田 教行 ,  清水 政俊 ,  東島 拓生 ,  高橋 宏明 ,  小松原 吉明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338511
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150410
出願日： 1999年01月07日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】レーザアニールの品質向上および製造コストの低減を図ったレーザアニール装置、およびレーザアニール方法を提供することにある。【解決手段】レーザアニール装置のアニール室37には、基板1が載置されるステージ37bと、基板のレーザ照射領域を囲む雰囲気分離カバー39と、が設けられている。雰囲気分離カバー内には酸素濃度センサ41が設けられ、ガス供給部40は、センサで測定したデータに基いて雰囲気分離カバー内にガスを供給し、基板上のレーザ照射領域近傍の雰囲気を所定の酸素濃度の雰囲気に制御する。この状態で、雰囲気分離カバー内を通して、レーザ発振器から基板のレーザ照射領域にレーザを照射する。

請求項（抜粋）：

被処理物が配置されるアニール室と、上記アニール室内の被処理物にレーザを照射するレーザ照射手段と、上記アニール室内に配置され、上記被処理物のレーザ照射領域を囲む雰囲気分離カバーと、雰囲気分離カバー内にガスを供給するガス供給手段と、を備えたことを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (4件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/304 648 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/268 G ,  H01L 21/304 648 J ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭56-007436
  
• 特開昭64-028809
  
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-174206   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-177423
  
• 半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-012240   出願人：シャープ株式会社