特許
J-GLOBAL ID：200903045268795358

レーザ照射装置およびレーザ照射方法および半導体装置の作製方法

発明者：
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338846
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156018
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】非単結晶半導体膜のアニール工程には、エキシマレーザがよく用いられる。YAGレーザはエキシマレーザに比べてレーザ本体の保守点検が容易であり、これが代替え品となればコストの低減ができる。しかしながら、YAGレーザは比較的干渉しやすいレーザビームであるため、単純にレーザビームを分割して合成するエネルギーの均一化の方法が使えない。【解決手段】YAGレーザは互いに異なる波長をもつ複数のレーザビームを同時に出すことができる。互いに波長の異なるレーザビームを非単結晶半導体膜の同一領域に同時に照射すれば、干渉の影響が抑えられ、より均一なレーザビームが得られる。たとえば、YAGレーザの第2、第3高調波を同時に発生させ、適当な光学系を用いて同一領域に照射すれば、非常に干渉が抑えられたエネルギーの均一性の高いレーザビームが得られる。
請求項（抜粋）：
照射面において断面形状が正方形または、長方形となるレーザビームを照射するレーザ照射装置であって、互いに波長の異なる複数のレーザビームを出すレーザ発振器と、照射面において、前記互いに波長の異なる複数のレーザビームのそれぞれの断面形状を正方形または長方形に加工し、かつ、エネルギー分布を均一化する光学系と、被照射物を配置するステージと、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
IPC (4件)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/268 J ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (73件)：
5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052BB03 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052HA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE15 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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