レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221021
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044120
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高移動度の薄膜トランジスタを実現するために、結晶性に優れた基板上膜材料を形成するレーザ熱処理方法を提供する。【解決手段】基板上膜材料9に対する吸収係数が異なる、第1のパルスレーザ光3と第2のパルスレーザ光4をそれぞれ上記基板上膜材料の同一部分に線状に集光して照射するレーザ熱処理方法。

請求項（抜粋）：

基板上膜材料にレーザ光を吸収させて熱処理するレーザ熱処理方法において、上記基板上膜材料に対する吸収係数が異なる、第1のパルスレーザ光と第2のパルスレーザ光をそれぞれ上記基板上膜材料の同一部分に線状に集光して照射するレーザ熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 21/268 G

Fターム (10件)：

5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BA15 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (7件)

多結晶シリコンの製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-008725 出願人：三星電子株式会社
レーザーアニーリング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-347875 出願人：新日本製鐵株式会社
光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-330914 出願人：株式会社リコー

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