特許
J-GLOBAL ID：200903045294761798

半導体電極及びそれを用いた光電変換素子

発明者：
廣瀬 英一

廣瀬 英一 について

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佐藤 克洋

佐藤 克洋 について

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小野 好之

小野 好之 について

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今井 彰

今井 彰 について

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高田 北斗

高田 北斗 について

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山崎 芳文

山崎 芳文 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-115637
公開番号（公開出願番号）：特開2001-307785
出願日： 2000年04月17日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 導電性基体と半導体との間に、機械的強度の低下による剥離や電気的接触の不具合による抵抗の上昇が生じない半導体電極の提供。【解決手段】 導電性基体12上に、色素142を担持させた半導体141からなる半導体層14を有する半導体電極1において、前記導電性基体12と前記半導体層14との間に、下記式(1)〜(4)で表される化合物群から選ばれる1以上の化合物から形成した結合層13を有することを特徴とする半導体電極1である。式(1)M1Y14、式(2)X1M2Y13、式(3)X12M3Y12、式(4)X13M4Y1。式中、X1は、飽和もしくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は含複素環式基を表し、M1〜M4は、炭素以外の4価の元素を表し、Y1は、ハロゲン原子、水酸基又はアルコキシ基を表す。
請求項（抜粋）：
導電性基体上に、色素を担持させた半導体からなる半導体層を有する半導体電極において、前記導電性基体と前記半導体層との間に、下記式(1)〜(4)で表される化合物群から選ばれる1以上の化合物から形成した結合層を有することを特徴とする半導体電極。式(1) M1Y14式(2) X1M2Y13式(3) X12M3Y12式(4) X13M4Y1(式(1)〜(4)において、X1は、同一でも異なっていてもよく、飽和もしくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は含複素環式基を表す。M1、M2、M3及びM4は、炭素以外の4価の元素を表す。Y1は、同一でも異なっていてもよい加水分解性官能基であって、ハロゲン原子、水酸基又はアルコキシ基を表す。)
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (10件)：
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032CC14 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17 ,  5H032EE18
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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