特許
J-GLOBAL ID：200903045301046781

不揮発性半導体メモリ及びその製造方法

発明者：
有留 誠一

有留 誠一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-193518
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007870
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性半導体メモリの微細化に伴う、配線の低抵抗化の困難性を緩和できる構造を持つ不揮発性半導体メモリを提供すること。【解決手段】 スタックゲート型のメモリセルトランジスタを有した不揮発性半導体メモリであって、メモリセルトランジスタの制御ゲートが、溝25に埋め込まれたメタル29を含んで構成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
スタックゲート型のメモリセルトランジスタを有した不揮発性半導体メモリであって、前記メモリセルトランジスタの制御ゲートが、溝に埋め込まれたメタルを含んで構成されていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (6件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/76 L
Fターム (53件)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA80 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F033XX10 ,  5F083EP23 ,  5F083EP25 ,  5F083EP32 ,  5F083EP76 ,  5F083GA02 ,  5F083GA09 ,  5F083JA32 ,  5F083JA39 ,  5F083KA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR43 ,  5F083PR53 ,  5F101BA07 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD22 ,  5F101BD36 ,  5F101BH15 ,  5F101BH19 ,  5F101BH21 ,  5F101BH23 ,  5F101BH30
引用特許：
審査官引用 (5件)
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