磁気メモリ素子、磁気メモリ素子製造、及び磁気メモリ素子動作方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：磯野道造 , 多田悦夫 , 柏木忍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-350513
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165556
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】セルの選択精度が高く、駆動電圧を下げることが可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ素子の製造及び磁気メモリ素子の動作方法を提供する。【解決手段】基板40と、基板に備えられ、ゲート電極を含むゲート積層体G1、ソースS1及びドレインD1から構成されるトランジスタTと、データが記録される磁気トンネル接合セル48と、磁気トンネル接合セル48の局所領域に磁気トンネル接合セル48の磁気分極を反転させるための磁場を発生させる磁場の発生手段と、を備える磁気メモリ素子である。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板に備えられ、ゲート電極を含むゲート積層体、ソース及びドレインにより構成される第1トランジスタと、データが記録される第1磁気トンネル接合セルと、前記第1磁気トンネル接合セルの局所領域に、前記第1磁気トンネル接合セルの磁気分極を反転させることが可能な程度の磁場を発生させるように、前記第1磁気トンネル接合セルに連結された第1磁場の発生手段と、を備えることを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11C11/15 110

Fターム (6件)：

5F083FZ10 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-339934 出願人：株式会社東芝
MRAM及びMRAMの書き込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-325855 出願人：日本電気株式会社
磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-197400 出願人：株式会社東芝

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