薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242996
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196503
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】特にオフの際、漏洩電流を低減し、TFT 作動時駆動電流を増加させ、ポリシンコンTFT の特性を向上させる。【構成】 TFT のチャンネルポリシリコン層4を酸素プラズマ5に晒すことにより、酸素プラズマ中の酸素は、チャンネルポリシリコン層4を浸透し、ゲート絶縁膜3とチャンネルポリシリコン層4との境界面などにおいて不安定に結合されたシリコン原子等と結合する。この作用により、ダングリング・ボンドが生じた領域が低減され、この結果、チャンネルポリシリコン層4の導電率が向上する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタの製造方法において、下部絶縁膜の上部にゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、チャンネルポリシリコン層を形成する工程と、前記チャンネルポリシリコン層を酸素プラズマに晒し、このチャンネルポリシリコン層と前記ゲート絶縁膜との境界面及びこのチャンネルポリシリコン層内における欠陥を低減させる工程と、不純物を前記チャンネルポリシリコン層の予定された部分に注入し、ソースとドレインを形成する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/265 P

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭59-108360
特開昭59-108360
特開昭58-082568

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