特許
J-GLOBAL ID:200903045326081808

エッチング液管理方法及びウェットエッチング装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菅野 中
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-076849
公開番号(公開出願番号):特開2001-267286
出願日: 2000年03月17日
公開日(公表日): 2001年09月28日
要約:
【要約】【課題】 BHF中のHF及びNH4F濃度を常に一定とするエッチング液管理方法を提供する。【解決手段】 BHF中にNH3ガスを強制的に溶解させて、これとHFを反応させることにより、BHF中のNH4Fの解離反応によるHF濃度の上昇を抑え、BHF中のHF及びNH4F濃度を常に一定とする。
請求項(抜粋):
半導体ウェーハ上に形成されたシリコン酸化膜をエッチング液を用いて処理するウェットエッチング方法において、前記エッチング液としてバッファードフッ酸(Buffered Hydrogen Fluoride)を用い、前記エッチング液中のHF,NH4Fの濃度を測定し、その測定に基いて前記エッチング液にNH3ガスを溶解させ、前記エッチング液中に含まれるHF,NH4Fの濃度変動を抑制することを特徴とするエッチング液管理方法。
IPC (2件):
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 648
FI (2件):
H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/306 D
Fターム (11件):
5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043EE23 ,  5F043EE24 ,  5F043EE25 ,  5F043EE28 ,  5F043EE29 ,  5F043EE30 ,  5F043EE33 ,  5F043EE40 ,  5F043GG10
引用特許:
審査官引用 (2件)

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