特許
J-GLOBAL ID：200903045340508369

熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 貴之

伊藤 貴之 について

, 
須黒 恭一

須黒 恭一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-168893
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347704
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】結晶欠陥を抑制して熱処理することが可能な熱処理装置を提供する。【解決手段】半導体基板1を載置する基板ステージ31と、基板ステージ31に対向して配置され、半導体基板1の表面に0.1m秒〜100m秒のパルス幅で光を照射する光源40と、半導体基板1の外縁より内部に照射領域が設けられるように、外縁に沿った領域に照射される光を選択的に減光するマスク10とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板を載置する基板ステージと、 前記基板ステージに対向して配置され、前記半導体基板の表面に0.1m秒〜100m秒のパルス幅で光を照射する光源と、 前記半導体基板の外縁より内部に照射領域が設けられるように、前記外縁に沿った領域に照射される前記光を選択的に減光するマスク とを備えることを特徴とする熱処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/26 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78
FI (4件)：
H01L21/26 J ,  H01L21/265 602B ,  H01L21/265 602C ,  H01L29/78 301F
Fターム (17件)：
5F140AA08 ,  5F140AA13 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07 ,  5F140CE18
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 米国特許第4151008号明細書
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-335697   出願人：株式会社東芝
  • 特開平2-181419
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