半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335697
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141298
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】局所的に必要以上にエネルギーが供給されることなく結晶構造を乱す効果を低減させながら半導体基板に不純物拡散領域を形成すると共に、半導体基板に注入して機能領域として用いられる新規な不純物を提供する。【解決手段】チャンバー1、2内部に挿入された不純物注入後の半導体基板3にフラッシュランプ8を用いてインコヒーレントな光を短時間照射することにより不純物の活性化を行う。In等のSiに比較して原子半径の大きい元素を半導体基板中の不純物拡散領域を形成する不純物とすることができる。このようなインコヒーレントな光を短時間照射するランプには、フラッシュランプを用いる。フラッシュランプにはXeランプを初め、希ガスランプ、水銀ランプ、水素ランプなどがある。インコヒーレントな光を用いるので多光子過程や干渉などのエネルギーの過度な強め合いがなくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に不純物を注入する工程と、前記半導体基板に主たる波長の広がりが1μm以下であるインコヒーレントな光を1秒以下照射して前記注入された不純物を活性化させ、この不純物で構成される不純物拡散領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 602 , H01L 21/265 604 , H01L 21/26 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/265 602 B , H01L 21/265 604 Z , H01L 21/26 J , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 S

Fターム (7件)：

5F040DC01 , 5F040EM02 , 5F040EM03 , 5F040FA07 , 5F040FB04 , 5F040FC00 , 5F040FC14

引用特許：

審査官引用 (23件)

特開昭57-207345
特開昭55-068638
特開昭61-032419

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