半導体装置およびその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-200253
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038115
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域の寄生抵抗を低減する方法を提供する。【構成】概略三角形状の絶縁物109によって、自己整合的に金属チタン等のシリサイドを形成しやすい金属被膜を表面を露出したソース、ドレイン領域103に密着させ、前記金属被膜とソース、ドレイン領域とを反応させて、金属シリサイド層111を得る。この金属シリサイド層はソース、ドレインと良好なコンタクトを有し、しかも、抵抗率がソース、ドレインに用いられているシリコンよりも極めて小さいので、薄膜トランジスタのソース、ドレインの寄生抵抗は、前記金属シリサイド領域111とチャネル形成領域104の距離x(=絶縁物109の幅)によって決まり、前記絶縁物109の幅を、好ましくは1μm以下とすることによって、ソース/ドレイン領域の寄生抵抗を下げ、TFTの特性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極側面の第1の絶縁層に密接して概略三角形状の第2の絶縁物が設けられ、ソース/ドレイン領域の少なくとも一部にシリサイド層が形成されており、前記第2の絶縁物下に存在するソース/ドレイン領域には実質的にシリサイド層が形成されていないことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 311 S , H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-203322
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-348130 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭63-318779

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