特許

J-GLOBAL ID：200903045388053401

窒化膜形成方法

発明者： 原 民夫 ,  増子 真吾 ,  谷口 和成 ,  右高 正俊 ,  佐田 登志夫
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  学校法人トヨタ学園
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362366
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176870
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 窒化膜を低温で形成する。【解決手段】 電子ビーム励起プラズマ法を用いて窒素ガスを解離する。電源11で電極16、18間に電圧Vaを印加し、電子を加速してビームとし、窒素ガスに照射してプラズマ化する。電子ビームに平行に基板22を配置し、ヒータ20で加熱する。電子ビームを用いることで2%以上の解離度を達成し、これにより400度より低い温度で基板22上に窒化膜を形成できる。基板22としてシリコンを用いることでシリコンを窒化し、直接シリコン窒化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

N含有ガスに電子ビームを照射することにより前記N含有ガスを解離させ、基板上に窒化膜を形成することを特徴とする窒化膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/318 A ,  H01L 21/283 N ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (22件)：

4M104AA01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F040DA19 ,  5F040ED04 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC08 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF60 ,  5F058BF72 ,  5F058BF74 ,  5F058BF75 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-096817   出願人：株式会社東芝, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマシリコンナイトライド膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197026   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-030339
  
• 混合ガスプラズマ制御装置およびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-081622   出願人：理化学研究所