窒化膜形成方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362366
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176870
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】窒化膜を低温で形成する。【解決手段】電子ビーム励起プラズマ法を用いて窒素ガスを解離する。電源11で電極16、18間に電圧Vaを印加し、電子を加速してビームとし、窒素ガスに照射してプラズマ化する。電子ビームに平行に基板22を配置し、ヒータ20で加熱する。電子ビームを用いることで2%以上の解離度を達成し、これにより400度より低い温度で基板22上に窒化膜を形成できる。基板22としてシリコンを用いることでシリコンを窒化し、直接シリコン窒化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

N含有ガスに電子ビームを照射することにより前記N含有ガスを解離させ、基板上に窒化膜を形成することを特徴とする窒化膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , H01L 21/283 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/318 A , H01L 21/283 N , H01L 29/78 301 G

Fターム (22件)：

4M104AA01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F040DA19 , 5F040ED04 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BB07 , 5F058BC08 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BF60 , 5F058BF72 , 5F058BF74 , 5F058BF75 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (5件)

表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-096817 出願人：株式会社東芝, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマシリコンナイトライド膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-197026 出願人：ソニー株式会社
特開昭62-030339

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